ASML, ведущий разработчик технологий литографии, объявил о создании первого образца полупроводника с использованием новой системы литографии High-NA EUV. Эта система отличается проекционной оптикой с числовой апертурой 0,55, что позволяет достичь беспрецедентной точности печати на уровне 10 нанометров.

Первую систему High-NA EUV установили в штаб-квартире ASML в Вельдховене, Нидерланды. Она уже продемонстрировала свои возможности, успешно создав первые в мире чипы с таким высоким разрешением. Вторая система в настоящее время находится на стадии установки у американского заказчика на заводе Intel D1X в Хиллсборо, штат Орегон.

ASML планирует использовать свою технологию не только для исследований, но и для массового производства. Система Twinscan EXE: 5000 будет применяться для разработки и совершенствования процессов изготовления чипов, в том числе для новейшего техпроцесса Intel 18A, предназначенного для производства чипов класса 1,8 нм. Это значительное улучшение по сравнению с предыдущими системами EUV, которые обеспечивали разрешение 13 нм.

Система Twinscan EXE: 5200, которая также оснащена оптикой с числовой апертурой 0,55, предназначена для нанесения элементов чипов с еще более высоким разрешением — 8 нм. Это позволяет уменьшить размеры транзисторов почти в 2 раза и увеличить их плотность в 2,9 раза за одну экспозицию, что сокращает количество необходимых операций и снижает производственные затраты.

Переход на технологию High-NA EUV считается необходимым шагом для выпуска чипов с нормами ниже 3 нм. ASML планирует начать массовое производство таких чипов в 2025–2026 годах.