Академик Александр Асеев: создать в РФ три центра нанотехнологий
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Вице-президент РАН предлагает создать в РФ три центра нанотехнологий
НОВОСИБИРСК, 6 июн – Вице-президент РАН, председатель сибирского отделения академии Александр Асеев предлагает создать в России три центра по ведению разработок в сфере нанотехнологий – в Москве, Санкт-Петербурге и Новосибирске.
«Одно из мышлений, которое мы пытаемся претворить в жизнь, состоит в том, что в России должно быть организовано три центра нанотехнологий, и базироваться они должны на связке из трех городов», – сказал Асеев в пятницу журналистам.
По его словам, головным центром должен стать Курчатовский центр по нанотехнологиям при МГУ (Москва), вторым – Санкт-Петербургский научно-образовательный физико-технологический центр, который был образован другим вице-президентом РАН Жоресом Алферовым. Третья площадка – новосибирский Академгородок с Новосибирским госуниверситетом (НГУ) и физматшколой.
«Первые обращения в правительство уже состоялись. Думаю, что решение о финансировании этих центров будет принято», – сказал Асеев.
Глава сибирского отделения академии констатировал, что «в рамках бюджета РАН задачи по усилению этих центров для полноценной работы решить невозможно». «Здесь нужно специальное правительственное решение, которое когда-то было по созданию Академгородка», – пояснил вице-президент.
http://www.rian.ru/…9421570.html
Ну ладно, допустим… А куда тогда мы денем ГК «Роснанотех» во главе с тов./г-ном Меламедом Л.Б.? Ведь он уже столько соглашений понаподписывал, столько людей понапринимал в свою «команду» – молодых, энергичных, умеющих играть в теннис…;-))) Правда, вот никаких «нанотехнологиев» пока не видно… И потом, ведь все денЮШки как раз и ушлИ в Госкорпорацию. На какие такие «шишы» теперь создавать эти центры?.. Это ведь и вице-президенты РАН понимать должны…
- nikst's блог
- Войдите на сайт для отправки комментариев
Планы нового председателя СО РАН: превратить Сибирское отделение в крупную научную корпорацию
Новый председатель Сибирского отделения РАН Александр Асеев планирует сохранить приоритет фундаментальных исследований, обеспечить СО РАН наряду с бюджетным финансированием дополнительные источники дохода, а также превратить отделение в крупную научную корпорацию. Как передает корреспондент ИА REGNUM, об этом он рассказал 6 июня на своей первой встрече с журналистами в новой должности.
По словам Александра Асеева, первым пунктом его программы является сохранение и обеспечение приоритета работ в рамках плана фундаментальных исследований РАН и СО РАН.
Решение задач государственного характера, по мнению Асеева, станет источником дополнительных доходов:
Александр Асеев добавил, что СО РАН должно превратиться в крупную научную корпорацию, но для этого ему нужно усилить работу с регионами.
Как ранее сообщало ИА REGNUM, в ходе голосования на общем собрании РАН, состоявшемся 1 июня, директор института физики полупроводников СО РАН Александр Асеев был избран новым председателем СО РАН. Он набрал 144 голоса. За его предшественника Николая Добрецова проголосовали 95 человек.
www.regnum.ru/…1011679.html
Предложения по организации трех национальных научно-образовательных центров по нанотехнологиям подготовлены РАН
В Российской Академии наук подготовлены предложения по организации трех национальных научно-образовательных центров по нанотехнологиям – в Москве, Санкт-Петербурге и Новосибирске. Об этом в минувшую пятницу недавно избранный председатель Сибирского отделения РАН Александр Асеев рассказал на своей первой встрече с журналистами в новом качестве.
По его словам, сейчас эти документы, разработанные созданной в прошлом году комиссии РАН по нанотехнологиям, в которую он входит, академия пытается «пробить».
С 1963 года работает в новосибирском Академгородке созданная академиками Михаилом Лаврентьевых и Гершем Будкером физико-математическая школа.
По словам Александра Асеева, развитие образовательной компоненты в рамках бюджета СО РАН, по разным причинам, не решается. Здесь нужна отдельная поддержка. Обращения в правительство уже состоялись.
В то же время Александр Асеев считает, что «вечные» научные проблемы нужно решать в вечернее время и по выходным, а рабочее время заниматься тем, что требует жизнь.
Напомним, 1 июня, в Москве на общем собрании Сибирского отделения Российской Академии наук председателем отделения избран директор Института физики полупроводников, академик Александр Асеев.
С п р а в к а
Новый председатель Сибирского отделения РАН Александр Леонидович Асеев – академик РАН, директор Института физики полупроводников СО РАН. Физик. Специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур.
Родился 24 сентября 1946 года в Улан-Удэ. В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета. В Сибирском отделении с 1968 года.
По окончании вуза работал в Институте физики полупроводников (ИФП). С 2003 года – директор Института физики полупроводников СО РАН. Одновременно – профессор кафедры физики полупроводников Томского государственного университета.
Научная деятельность посвящена изучению атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности. Александр Асеев получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния впервые обнаружил обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов.
Исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов полупроводниковой электроники. Ведет работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии, по материаловедению кремния, направленные на получение высокосовершенных кристаллов большого диаметра.
Под его руководством в институте создан современный научно-технологический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, обоснована технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий ртуть теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.
Член президиума СО РАН (с 2001 года), научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии.
Заместитель председателя объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН, член бюро совета директоров институтов Новосибирского научного центра СО РАН, ученого совета Новосибирского государственного университета, редколлегий ведущих научных российских и международных журналов. В 1996–2005 годах входил в состав совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия).
http://ria-sibir.ru/…s/27799.html