Нанотехнологии позволят существенно увеличить плотность памяти

Применение нанотехнологий может придать новый импульс микроэлектронике. Специалисты университета Пенсильвании ведут исследования, направленные на существенное увеличение плотности памяти за счет применения наноструктур.

Плотность памяти и так стремительно растет с уменьшением норм техпроцесса, но пенсильванская разработка построена на принципиально новом подходе — хранении в ячейке памяти не одного из двух, а одного из трех возможных значений.

• Ячейка напоминает отрезок микроскопического коаксиального кабеля. Внутри оболочки из теллурида германия (GeTe) находится сердечник из более сложного компаунда — Ge2Sb2Te5 (на иллюстрации отмечен стрелкой).

Оба указанных материала могут менять свое фазовое состояние под действием электрического поля, переходя из кристаллической формы в аморфную и обратно. Ключевым моментом, позволяющим хранить в одной ячейке три значения, является возможность независимого изменения фазового состояния оболочки и сердечника.

• Привлекательным с точки зрения массового производства является тот факт, что структура ячейки относится к так называемым «самосборкам» — наноструктурам, формируемым самостоятельно, а дополнительным преимуществом кристаллических материалов является их тенденция к формированию образований, свободных от дефектов.

http://www.ixbt.com/…/index.shtml?…

New Nanowire-Based Memory Could Beef Up Information Storage

http://www.physorg.com/…4214217.html

Ну, голь на выдумки хитра! Что ещё сказать можно?.. Молодцы ребята! Очевидно, это открывает новые пути в области создания устройств памяти нового поколения… Поживём – увидим…