РОСНАНО и Crocus Technology создают производство MRAM

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

-->

РОСНАНО и Crocus Technology создают производство MRAM — впервые в мире по технологии 90 и 65 нм

РОСНАНО и Crocus Technology, ведущий разработчик магниторезистивной памяти, сегодня объявили о заключении инвестиционного соглашения о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения. Общий объем сделки составляет $300 млн. В рамках соглашения РОСНАНО и Crocus создают компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нм с применением технологии термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS), разработанной Crocus

crocus_robot.jpg .

РОСНАНО планирует инвестировать в проект до 3,8 млрд руб. (около $140 млн). На первом этапе РОСНАНО и соинвесторы — венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension, и Sofinnova Ventures — вложат $55 млн в уставный капитал Crocus. Еще около $125 млн участники проекта проинвестируют в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется инвестировать еще $120 млн, которые пойдут на расширение производства и, в перспективе — совершенствование технологического процесса до норм 45 нм.

  • «Мы выбрали Crocus, поскольку уверены: эта компания обладает лучшей в своем классе технологией и способна вывести на рынок продукцию, не имеющую мировых аналогов, — подчеркнул председатель правления РОСНАНО Анатолий Чубайс. — Руководство Crocus имеет большой опыт сотрудничества с российскими разработчиками. Компании CNE и Crocus занимают важное место в стратегии РОСНАНО по созданию в России микроэлектронной индустрии на базе передовых мировых технологий».

«Инвестиции РОСНАНО отражают стремление компании преодолеть международные барьеры и стимулировать развитие нанотехнологической индустрии, — отметил Бертран Камбу (Bertrand F. Cambou), исполнительный председатель совета директоров Crocus Technology. — Мы рады, что РОСНАНО выбрала для своих инвестиций технологию Crocus и активно участвует в создании уникального российского производства, ориентированного на глобальный рынок».

Предприятие CNE наладит первое в мире производство устройств MRAM с проектными нормами 90 и 65 нм по технологии Crocus. На стандартные 300-миллиметровые пластины, произведенные по технологии КМОП, на заводе будут наноситься дополнительные слои для создания устройств MRAM.

  • В ближайшие два года CNE планирует запустить завод, способный выпускать до 500 пластин в неделю. На второй фазе инвестиций его мощность будет увеличена до 1000 пластин в неделю. Кроме этого запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и, в дальнейшем, систем на кристалле (system-on-chip — SOC). На первом этапе Crocus инвестирует более $5 млн в российские исследовательские организации.

crocus_raid.jpg .

«Проект производства TAS MRAM служит примером использования самых перспективных мировых разработок для развития российской микроэлектронной промышленности, — подчеркнул управляющий директор РОСНАНО Дмитрий Лисенков. — Он станет первым в России предприятием для обработки 300-миллиметровых кремниевых пластин. Но наш проект, ориентированный на глобальный рынок — больше, чем просто трансфер технологий. В его развитии будут активно участвовать российские инженеры и ученые из создающихся центров R&D».

Производство магниторезистивной памяти по нормам 90 и 65 нм позволит создать устройства MRAM с самой высокой на сегодняшний день плотностью элементов. В России и странах СНГ маркетинг и продажу производимых устройств будет осуществлять CNE, в других странах — компания Crocus.

Ключевыми рынками для производимой продукции станут системы хранения данных, мобильные и сетевые устройства, а также сервисы по развитию облачных вычислений. Кроме устройств общего назначения, память TAS MRAM может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications — NFC) и защищенной памяти. В приложениях будут востребованы такие преимущества памяти Crocus MRAM, как практически неограниченное число циклов перезаписи, энергонезависимость и высокая производительность как при чтении, так и при записи данных. Потенциальный объем мирового рынка для продукции проекта составляет более $40 млрд в год.

Технологическая справка

  • MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) — технология компьютерной памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Микросхемы MRAM обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, т.е. возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания Микросхемы Crocus MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с низкой стоимостью и энергонезависимостью Flash.

crocus_mobile.jpg .

Создание миниатюрных чипов MRAM во многом стало возможным благодаря открытию в 1988 году эффекта гигантского магнитосопротивления, за которое в 2007 физикам Альберту Феру и Петеру Грюнбергу была присуждена Нобелевская премия. В середине 1990-х годов сразу несколько компаний начали интенсивные разработки MRAM, среди которых преуспела компания Motorola, выпустившая в 2005 первый чип емкостью 1 Мбит, созданный по нормам 180 нм. Однако, только Crocus на текущий момент удалось создать действующий 130-нм чип и продемонстрировать возможность производства 90-нм магниторезистивной памяти по технологии термического переключения.

  • Технология термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS™) — разработанная Crocus и защищенная патентами технология, в которой запись производится при нагревании ячейки памяти.

  • Открытое акционерное общество «РОСНАНО» создано в марте 2011 г. путем реорганизации государственной корпорации «Российская корпорация нанотехнологий». ОАО «РОСНАНО» реализует государственную политику по развитию наноиндустрии, выступая соинвестором в нанотехнологических проектах со значительным экономическим или социальным потенциалом. 100% акций ОАО «РОСНАНО» находится в собственности государства. Председателем правления ОАО «РОСНАНО» назначен Анатолий Чубайс.

Задачи государственной корпорации «Российская корпорация нанотехнологий» по созданию нанотехнологической инфраструктуры и реализации образовательных программ выполняются Фондом инфраструктурных и образовательных программ, также созданным в результате реорганизации госкорпорации.

  • Crocus Technology — ведущий разработчик магниторезистивной памяти с произвольным доступом (magnetoresistive random access memory — MRAM), которая позволяет создавать быстрые, энергонезависимые, высокоплотные запоминающие устройства для общих и специализированных решений. Компания отпочковалась от гренобльского исследовательского центра Spintec, ведущего мирового исследовательского центра в области спинтроники, аффилированного с французскими национальными лабораториями CEA и CNRS. Компания планирует вывести на рынок микросхемы памяти высокой плотности, которые предназначены для использования в области телекоммуникаций, вычислений, хранения и передачи данных, а также в мобильных устройствах. Кроме того, компания лицензирует свою технологию для автономных и встроенных микросхемных решений. Технология Crocus MRAM защищена обширным набором патентов.

Российское предприятие CNE дополнит ранее анонсированное партнерство Crocus с производственной компанией TowerJazz, в рамках которого к концу 2011 г. будут выпущены устройства MRAM по нормам 130 нм. Crocus также продолжит сотрудничество с научным центром SVTC Technologies в Сан-Хосе (США, штат Калифорния), где совершенствуются технологические процессы, которые будут использованы на производстве CNE.

Подробнее — www.crocustechnology.com

http://www.rusnano.com/…x/Show/31542



nikst аватар

Ну, как говорится, совет да любовь!..

  • В добрый путь и новых достижений!..
nikst аватар

«Роснано» и Crocus Technology откроют в РФ производство памяти MRAM

МОСКВА, 17 мая – ОАО «Роснано» и французская Crocus Technology, ведущий разработчик магниторезистивной памяти, объявили о заключении инвестиционного соглашения о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения на общую сумму 300 миллионов долларов, говорится в сообщении «Роснано»

  • В рамках нового соглашения «Роснано» и Crocus создают компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России первый в мире завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нанометров с применением технологии термического переключения (Thermally Assisted Switching – TAS), разработанной Crocus.

«Проект производства TAS MRAM служит примером использования самых перспективных мировых разработок для развития российской микроэлектронной промышленности. Он станет первым в России предприятием для обработки 300-миллиметровых кремниевых пластин. Но наш проект, ориентированный на глобальный рынок – больше, чем просто трансфер технологий», – подчеркнул управляющий директор «Роснано» Дмитрий Лисенков, чьи слова приводит компания.

По его словам, в проекте будут активно участвовать российские инженеры и ученые из создающихся центров исследований и разработок.

«У нас достаточно амбициозные планы по продажам продукции. Планируем что в 2015 году совокупный оборот, включая внутригрупповой, превысит 6 миллиардов рублей», – сказал Лисенков РИА Новости.

По его словам, в настоящее время рассматриваются две площадки для размещения проекта. «Мы выбираем из двух площадок. Одна – это Зеленоград, вторая – это Калининградская область, где создается кластер микроэлектроники», – сказал он.

  • Магниторезистивная оперативная память (MRAM – magnetoresistive random-access memory) считается одной из перспективных технологий будущего. Она сочетает ряд достоинств как оперативной компьютерной DRAM-памяти (высокая производительность, практически бесконечное число циклов перезаписи, невысокое энергопотребление), так и Flash-памяти (энергонезависимость). Благодаря тому, что в MRAM-памяти для хранения данных не используются, как во Flash-памяти, разнонаправленные электрические заряды, соответствующие двоичным «0» и «1», она устойчива к воздействию радиации и способна работать в широком интервале температур. По этой причине магниторезистивная память широко применяется в космонавтике и в военных целях.

Ключевыми рынками для производимой продукции станут системы хранения данных, мобильные и сетевые устройства, а также сервисы по развитию облачных вычислений. Кроме устройств общего назначения, память TAS MRAM может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия и защищенной памяти. Потенциальный объем мирового рынка для продукции проекта составляет более 40 миллиардов долларов в год, отмечается в сообщении.

«Производство магниторезистивной памяти по нормам 90 и 65 нм позволит создать устройства MRAM с самой высокой на сегодняшний день плотностью элементов», – говорится в сообщении компании.

«Роснано» планирует инвестировать в проект до 3,8 миллиарда рублей, или около 140 миллионов долларов. На первом этапе компания и соинвесторы – венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension, и Sofinnova Ventures – вложат 55 миллионов долларов в уставный капитал Crocus.

  • Еще около 125 миллионов долларов участники проекта проинвестируют в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется дополнительно инвестировать 120 миллионов долларов, которые пойдут на расширение производства и, в перспективе, на совершенствование технологического процесса до норм 45 нанометров.

Как отмечается в сообщении, в ближайшие два года CNE планирует запустить завод, способный выпускать до 500 пластин памяти в неделю. На втором этапе инвестиций его мощность будет увеличена до 1 тысячи пластин в неделю. В России и странах СНГ маркетинг и продажу производимых устройств будет осуществлять CNE, в других странах – компания Crocus.

  • Кроме этого, также запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и систем на чипе (system-on-chip – SOC). На первом этапе Crocus инвестирует более 5 миллионов долларов в российские исследовательские организации.

Французская компания Crocus Technology работает по «бесфабричной» модели, то есть специализируется на проектировании чипов, размещая их производство на чужих фабриках. Она заключила соглашение с израильским производителем специализированных чипов памяти TowerJazz о выпуске MRAM-памяти по 130-нанометровым топологическим нормам (для флэш-памяти рекордной технологией сегодня является 20 нм). Ожидается, что первые коммерческие MRAM-чипы от Crocus поступят на рынок во второй половине 2011 года.

http://www.rian.ru/…5858412.html

nikst аватар

В России будет построена первая в мире фабрика микросхем памяти MRAM по технологии 65 нм

  • «Роснано» и французская Crocus Technology договорились о производстве нового поколения чипов магниторезистивной памяти (MRAM). Созданная ими совместная компания Crocus Nano Electronics построит в России завод по производству схем памяти этого типа по технологии 90 и 65 нм. Таких в мире еще не делают…

http://www.kommersant.ru/doc/1659324