Компания Fujitsu объявила о разработке новой производственной платформы для изготовления 45-нанометровых чипов LSI, которая позволит конструировать чипы с низким энергопотреблением и, в то же время, быстродействующими соединениями между элементами.

Как сообщает PhysOrg, по сравнению с традиционными технологиями производства 45-нм чипов, новая платформа позволяет сократить ток утечки почти в пять раз в режиме ожидания устройства. Также произошло увеличение быстродействия чипа на 14% благодаря изменению длины затвора транзисторов и сглаживанию соединительных проводников.

Рис. 1. Поперечное сечение модуля 9Cu + 1Al

Инновация компании заключается в изменении медного слоя, входящего в состав структуры соединительного модуля 9Cu + 1Al.

Как говорят представители компании, полученные результаты по быстродействию чипов превышают стандарты, определенные для 45-нм техпроцесса картой International Technology Roadmap for Semiconductors.

В итоге, распространение технологии новых LSI-чипов позволит пятикратно повысить время ожидания различных мобильных устройств. Это касается и мобильных телефонов, коммуникаторов и цифровых фотокамер.

Согласно прогнозам новая технология будет реализоваться в промышленных масштабах с 2008 года.