Сайт о нанотехнологиях #1 в РоссииFreescale продвигает запоминающие устройства на основе магниторезистивного эффекта (MRAM)
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Опубликовано Tiniel в 18 июня, 2008 - 09:59 -->
Freescale Semiconductor рассматривает магнитную память (MRAM) как альтернативу сегодняшним полупроводниковым динамической (DRAM) и флэш оперативной памяти. MRAM обещает энергонезависимость при большем быстродействии и при более низкой потребляемой мощностью. Наряду с Freescale, MRAM включили в свои разработки NEC, Renesas и Toshiba.
Пожалуйста, оцените статью:
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев
