Германиевые нанопровода как перспективный материал для создания транзисторов нового поколения

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Ученым из Школы техники и прикладных наук им. Генри Сэмюэли при Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе (UCLA), Университета Пёрдью, штат Индиана, США и компании IBM удалось вырастить полупроводящие кремниево-германиевые нанопроволоки, которые в перспективе можно использовать для создания транзисторов нового поколения.

Группа получила нанопроволоки из слоев кремния и германия – без каких-либо дефектов и с очень четкой атомарной границей между слоями разных веществ, порядка одного атома. Это значительно улучшило электронные свойства нанопроволок.

Кремниево-германиевые наноструктуры найдут также применение как термоэлектрические материалы, способные преобразовать тепло в электричество.

По материалам журнала «Российские нанотехнологии» № 1–2 2010 год:

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.2 (5 votes)
Источник(и):

1.nanojournal.ru