Германиевые нанопровода как перспективный материал для создания транзисторов нового поколения
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Ученым из Школы техники и прикладных наук им. Генри Сэмюэли при Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе (UCLA), Университета Пёрдью, штат Индиана, США и компании IBM удалось вырастить полупроводящие кремниево-германиевые нанопроволоки, которые в перспективе можно использовать для создания транзисторов нового поколения.
Группа получила нанопроволоки из слоев кремния и германия – без каких-либо дефектов и с очень четкой атомарной границей между слоями разных веществ, порядка одного атома. Это значительно улучшило электронные свойства нанопроволок.
Кремниево-германиевые наноструктуры найдут также применение как термоэлектрические материалы, способные преобразовать тепло в электричество.
По материалам журнала «Российские нанотехнологии» № 1–2 2010 год:
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев