Схемы флэш-памяти NAND, изготовленные по новому технологическому процессу с масштабом элементов 25 нм, обладают вдвое большей емкостью по сравнению со схемами предыдущего поколения, изготавливаемыми по 34-нанометровому процессу. Размеры схем составляют 0,35 на 0,74 дюйма.

О разработке новых схем объемом 8 Гбайт компания Intel объявила в феврале, а сейчас они уже поставляются производителям оборудования – твердотельных жестких дисков, карт памяти и внешних USB-накопителей. Как правило, в одном устройстве устанавливается несколько схем флэш-памяти, и повышение объема одной схемы сокращает общее число схем в устройстве. Кроме того, миниатюризация снижает себестоимость электронных устройств.

Производством новых микросхем флэш-памяти занимается компания IMFT – совместное предприятие Intel и Micron Technology.