Научная работа студента СПбГУ признана лучшей на состоявшейся с 19 по 24 сентября в Великобритании международной научной конференции по протяженным дефектам в полупроводниках (EDS-2010).

В работе конференции, проходившей в университете графства Сассекс, приняли участие специалисты из 24 стран мира. Среди них был и магистрант кафедры электроники твердого тела физического факультета СПбГУ Иван Исаков. Его научная работа «Глубокие уровни дислокационных сеток в кремнии p- и n- типа» была признана лучшей среди представленных молодыми учеными (в том числе имеющими степень PhD!), а сам автор награжден именной премией Гельмута Александра (Helmut Alexander award) «за достижения в понимании структуры и свойств протяженных дефектов в полупроводниках».

«Работа Ивана решает фундаментальную задачу, имеющую и практическое значение, – говорит научный руководитель Ивана Исакова Олег Вывенко, профессор физического факультета и директор Междисциплинарного ресурсного центра (МРЦ) по направлению «Нанотехнологии» СПбГУ. – Дислокационные сетки рассматриваются как кандидат для создания электронных приборов нового поколения. Одна из проблем современных процессоров – потери энергии при проводной передаче информации (в одном процессоре – до 20 км проводов). Ученые хотят добиться того, чтобы часть информации внутри процессора передавалось беспроводным способом, с помощью оптических элементов. Для этого нужно создать излучатель на основе кремния, и один из кандидатов – это дислокационные сетки. В работе Ивана Исакова впервые исследовались определенные энергетические уровни, чтобы понять, насколько эта система подходит для решения прикладных задач».

Исследование Ивана Исакова невозможно было бы выполнить без уникального научного оборудования МРЦ «Нанотехнологии».

«Работа экспериментальная, и в ней необходимы были данные электронной микроскопии высокого разрешения и измерение электрических свойств при очень низких температурах, вплоть до температуры жидкого гелия. Благодаря современному оснащению МРЦ Иван смог получить новые уникальные результаты», – объясняет Олег Вывенко.

Пример Ивана Исакова показывает, что интеллектуальный уровень студентов СПбГУ при наличии современного оборудования позволяет успешно решать научные задачи мирового уровня.

Пресс центр СПбГУ