Ученые из Гонконга создали органический транзистор на базе наночастиц

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Схематичный вид биполярного транзистора

Новаторское исследование ученых из Гонконгского политехнического университета демонстрирует, что простое наложение друг на друга множества слоев серебряных наночастиц может существенно увеличить производительность органических транзисторов. Это может привести к падению стоимости устройств с сенсорными экранами – электронных книг и других гаджетов, имеющих запоминающие модули.

В настоящее время органические транзисторы являются объектом множества международных исследовательских программ и очень перспективны с коммерческой точки зрения. По сравнению с традиционными кремниевыми устройствами они стоят дешевле, процесс их изготовления выполняется при комнатных температурах, а используемая технология становится все проще. Органические транзисторы являются ключевым элементом таких устройств, как сенсорные экраны. Компьютерные мониторы на их основе обладают лучшей яркостью и цветопередачей. Они дают более высокое время отклика пикселей и четкость при дневном свете.

Однако, как показывают ученые, применение нанотехнологий может улучшить их параметры и еще более уменьшить размеры. При этом разработанная технология полностью совместима с текущими методами производства органических полупроводников. Другим важным аспектом исследования является то, что гонконгские ученые показали зависимость производительности устройства от толщины нанослоя, что позволяет оптимизировать работу транзисторов для требований конкретного устройства. Например, органические транзисторы на базе слоя из наночастиц толщиной в 1 нм обладают памятью на три часа, что делает их пригодными для буферов памяти, а транзисторы с нанослоем 5 нм толщиной сохраняют заряд намного дольше.

По материалам:

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.5 (8 votes)
Источник(и):

1. «Нано Дайджест»: http://nanodigest.ru/…view/585/42/