Физики открыли самоохлаждение графеновых транзисторов
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Интересный эффект, обнаруженный американцами, сулит яркую перспективу электронике на основе одноатомных листов углерода. Похоже, с ней удастся избежать перегрева от омических токов при росте плотности размещения элементов схемы.
Учёные из университета Иллинойса (UIUC) использовали атомный силовой микроскоп как датчик температуры и провели первое измерение нагрева работающего графенового транзистора в нанометровом масштабе. Пространственное разрешение съёмки составило около 10 нанометров, а температурное разрешение — 250 милликельвинов.
Рис. 1. Разница в температуре графенового
транзистора и прилегающих контактов может
достигать нескольких градусов (иллюстрация Kyle L.
Grosse et al./ Nature Nanotechnology).
«Измерения показали удивительные явления в областях, где углерод соединялся с металлом. Исследователи обнаружили, что эффект термоэлектрического охлаждения в местах контакта графена и электродов может быть более сильным, чем резистивный нагрев. На деле это снижает температуру транзисторов», — передаёт EurekAlert! (Детали эксперимента можно найти в статье Nature Nanotechnology).
Рис. 2. Наконечник атомного силового микроскопа
сканирует поверхность графена в области контакта с
металлом. Вариации температуры отражены цветом
(иллюстрация Alex Jerez, Beckman Institute for Advanced
Science and Technology).
В кремнии и большинстве других материалов для микросхем термоэлектрические эффекты, способные локально охлаждать элементы схемы, в сравнении с омическим нагревом — невелики. Потому микросхемы прилично греются и требуют мощных систем охлаждения. А вот в графеновых транзисторах нашлись регионы, где термоэлектрическое охлаждение явно перевешивает разогрев от проходящего тока.
Ранее не наблюдавшееся в графеновой электронике явление означает, что в перспективе подобные схемы можно будет уплотнять, не сталкиваясь с проблемой перегрева и обходясь сравнительно простыми системами отвода тепла. И это весомый аргумент в пользу замены кремния графеном. Правда, пока электроника на такой необычной основе лишь делает первые шаги.
- Источник(и):
-
1. membrana.ru
- Войдите на сайт для отправки комментариев