Объявлен пилотный конкурс исследовательских проектов в рамках проекта 7РП ЕС ERA.NET-RUS «Увеличение достигнутой мощности излучения полупроводниковых лазеров посредством модификации aсимметричной гетероструктуры».

Крайний срок подачи заявок на конкурс – 31 мая. Все подробности на web-сайте http://www.era.net-rus.eu/.

Формируется консорциум для подготовки проектной заявки на этот конкурс.

Координатор – Институт технологии материалов электроники (г. Варшава).

Партнёр – Билкент университет (Анкара).

В приложенных на сайте файлах вы найдёте описание заявки на английском и русском языках.

О проекте: "Одним из перспективных направлений деятельности ITME является проектирование, технология и характеристика полупроводниковых лазеров. В настоящее время большим интересом пользуются лазерные диоды средней и высокой мощности излучающие в диапазоне 6хх, 800–1000нм произведенные с применением материалов групп (InGaAl)P, (AlGa)AsP и (InAlGa)As, что не исключает заинтересования другими диапазонами длины волны и группами материалов. Проводятся разработки в области проектирования, эпитаксиального роста, технологического проекта, сборки, а также характеристик материалов и инструментов.

Целью предлагаемого проекта является увеличение максимальной мощности лазерных диодов (DL), путем увеличения эффективной ширины волновода лазерной гетероструктуры. Смодифицированные лазерные диоды (DL) и матрицы лазерных диодов могут найти применение в системе оптической накачки и промышленном оборудовании с диапазонами 8хх и 9хх нм. Следующий параметр решающий о полной достигнутой мощности лазерных диодов (DL) – ширина области излучаемой на поверхности лазерного зеркала (W-определенный через ширину активной полосы) может быть разработан отдельно в зависимости от предполагаемого применения."