Ученые из Института нанотехнологий Каталонии, ICREA и Университета Барселоны совместными усилиями разработали совершенно новый метод записи магнитных данных на специальный носитель. Такой метод избавляет от использования достаточно сильных магнитных полей и обеспечивает реализацию чрезвычайно простого и быстрого процесса записи данных. А основывается новый метод на использовании специальной структуры элемента магнитной памяти и на пропусканию электрического тока в направлении, параллельном направлению магнитной ориентации ячейки памяти.

Технологически это реализовано в виде ассиметричного интерфейса, напоминающего обкладки конденсатора, расположенного снизу и сверху магнитного материала. Подача напряжения на обкладки этого конденсатора, приводит к появлению электрического поля в слое магнитного материала, в данном случае, тонкой пленки из кобальта, толщиной менее одного нанометра, «зажатой» между обкладками из платины и оксида алюминия.

Благодаря тонким эффектам релятивисткой механики, электроны, находящиеся в слое кобальта, попадают под воздействие электрического поля, действие которого становится сродни действию магнитного поля и вызывает смену вектора намагниченности магнитного материала. При достаточной силе приложенного тока эффект смены вектора намагниченности становится постоянным, подобно тому, как это происходит в пластинах современных жестких дисков.

Исследования, проведенные учеными, продемонстрировали, что новый метод записи данных устойчиво работает даже при комнатной температуре. Для записи данных в магнитные «биты», размером 200 на 200 нанометров, используются импульсы электрического тока, длительностью всего 10 наносекунд. Но, как утверждают ученые, уменьшение размера одного бита и ускорение скорости переключения е представляют никаких проблем и могут быть легко реализованы с использованием современных технологий.

Результаты этих исследований могут оказать огромное влияние на дальнейшее развитие устройств магнитного хранения данных. Так же на основе такой технологии можно создать быстродействующую память Magnetic Random Access Memory (MRAM), использование которой позволило бы компьютерам будущего не тратить время на загрузку операционной системы и потреблять меньшее количество энергии.