Учёным из Стэнфордского университета (США), проводившим исследования под руководством профессора Филипа Вонга (Philip Wong), удалось получить образцы ячеек памяти, в которых роль электродов играют углеродные нанотрубки.

Исследователи экспериментировали с резистивной памятью с произвольным доступом (RRAM) и памятью с изменяемым фазовым состоянием (PCM). Оба типа энергонезависимой памяти рассматриваются в качестве потенциальной альтернативы флеш-накопителям. Микросхемы RRAM и PCM, как ожидается, смогут обеспечить более высокие скорости передачи данных и меньшее энергопотребление.

В тестовых ячейках RRAM размером 6×6 нанометров используются два перекрещивающихся слоя углеродных нанотрубок, разделённых слоем оксида алюминия. Для изменения состояния памяти прикладывается внешнее напряжение (около 10 В, сила тока — менее 10 микроампер).

Экспериментальная PCM-ячейка имеет площадь 2,5 квадратных нанометра. Переключение между логическим нулём и единицей происходит за счёт изменения фазового состояния материала памяти (достаточно силы тока в 1,4 микроампера). В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник.

Результаты исследования говорят о том, что применение углеродных нанотрубок позволяет уменьшить размеры ячеек памяти до нескольких нанометров — а значит, существенно повысить плотность хранения информации.

Рис. 1. Филип Вонг (фото Стэнфордского университета).