«Роснано» и Crocus Technology создают в России производство MRAM – впервые в мире по технологиям 90 и 65 нм.

«Роснано» и французская компания Crocus Technology объявили о заключении соглашения о создании в России производства памяти MRAM нового поколения. В рамках соглашения «Роснано» и Crocus создадут компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нм с применением разработанной Crocus технологии термического переключения. Сумма сделки составляет $300 млн, говорится в официальном сообщении.

Российская сторона планирует инвестировать в проект до 3,8 млрд руб (около $140 млн). На первом этапе «Роснано» и соинвесторы – венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension и Sofinnova Ventures – вложат $55 млн в уставной капитал Crocus. Еще около $125 млн участники вложат в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется инвестировать еще $120 млн, которые пойдут на расширение производства, а в перспективе – совершенствование технологического процесса до 45 нм. Французам будет принадлежать не менее 51% СП, сообщает Reuters.

«Мы выбрали Crocus, поскольку уверены: эта компания обладает лучшей в своем классе технологией и способна вывести на рынок продукцию, не имеющую мировых аналогов, – подчеркнул председатель правления «Роснано» Анатолий Чубайс. – Руководство Crocus имеет большой опыт сотрудничества с российскими разработчиками. Компании CNE и Crocus занимают важное место в стратегии «Роснано» по созданию в России микроэлектронной индустрии на базе передовых мировых технологий».

«Инвестиции «Роснано» отражают стремление компании преодолеть международные барьеры и стимулировать развитие нанотехнологической индустрии, – отметил исполнительный председатель совета директоров Crocus Technology Бертран Камбу (Bertrand Cambou). – Мы рады, что «Роснано» выбрала для своих инвестиций технологию Crocus и активно участвует в создании уникального российского производства, ориентированного на глобальный рынок».

Предприятие CNE наладит первое в мире производство устройств MRAM с проектными нормами 90 и 65 нм по технологии Crocus. На стандартные 300-мм пластины, произведенные по технологии КМОП, на заводе будут наноситься дополнительные слои для создания устройств MRAM. По информации Reuters, завод может быть расположен в Зеленограде, Сколково или Калининградской области. На первоначальном этапе его штат составит около 100 человек.

В ближайшие 2 года CNE планирует выпускать до 500 пластин в неделю. На второй фазе инвестиций его мощность будет увеличена до 1000 пластин в неделю. Кроме этого запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и, в дальнейшем, систем на кристалле (System on Chip – SoC). На первом этапе Crocus инвестирует более $5 млн в российские исследовательские организации.

В России и странах СНГ маркетинг и продажу производимых устройств будет осуществлять CNE, в других странах – Crocus. Ключевыми рынками для производимой продукции станут системы хранения данных, мобильные и сетевые устройства, а также сервисы по развитию облачных вычислений. Кроме устройств общего назначения, память TAS MRAM может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (NFC) и защищенной памяти. В приложениях будут востребованы такие преимущества памяти Crocus MRAM, как практически неограниченное число циклов перезаписи, энергонезависимость и высокая производительность как при чтении, так и при записи. Потенциальный объем мирового рынка для продукции проекта составляет более $40 млрд в год.

MRAM (магниторезистивная память с произвольным доступом) – технология компьютерной памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Микросхемы MRAM обладают преимуществами DRAM и флэш-памяти и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство – энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные данные в случае отключения питания. Технология термического переключения Crocus состоит в том, что запись выполняется путем нагревания ячейки памяти. На текущий момент только Crocus удалось создать действующий 130-нм чип и продемонстрировать возможность производства 90-нм магниторезистивной памяти по технологии термического переключения.