Группе норвежских исследователей удалось разработать метод замены кремния в полупроводниковых микросхемах более совершенным материалом. Оригинальная реализация этой технологии позволит обойти существующие ограничения, связанные со свойствами кремниевых кристаллов, и поможет сохранить темп прогресса в вычислительной технике.

Из графена выращиваются полупроводниковые нановолокна путём бомбардировки его поверхности атомами галлия и мышьяка. Используется технология послойного изготовления, базирующаяся на свойствах самоупорядочивания структуры.

Получаемый таким образом гибридный материал представляет собой ряд выращенных на общей подложке волокон, обладающих полупроводниковыми свойствами. Весь процесс занимает несколько минут.

Поскольку графен – это один слой атомов углерода с упорядоченным расположением, на его основе можно изготавливать самые тонкие полупроводниковые материалы. Свойства получаемых волокон легко варьировать, меняя условия их получения (температура, давление, свет, катализаторы, время) и количество атомов других элементов.

Помимо полупроводниковых свойств такие волокна могут обладать высокой теплопроводностью, что делает их отличным кандидатом на роль термоинтерфейса с точно заданными параметрами.

На основе нановолокон, получаемых из графена, можно изготавливать более совершенные солнечные панели – сверхтонкие, гибкие и полупрозрачные. О данном направлении фотоэлектроники NNN писала ранее.

К разработке норвежцев большой интерес проявили крупнейшие компании, такие, как IBM и Samsung. Это даёт надежды на скорое появление готовых изделий на основе данной технологии и начало своеобразной революции в микроэлектронике.