Корпорация Toshiba объявила сегодня об очередных достижениях в разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

MRAM представляет собой память, хранящую информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа и одновременно являются энергонезависимыми, то есть могут хранить данные без питания. Кроме того, в отличие от флеш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации. Иными словами, MRAM совмещает достоинства динамической и флеш-памяти.

Рис. 1. Схематичное изображение элемента памяти STT-MRAM (изображение Toshiba).

Toshiba разрабатывает MRAM-память, базирующуюся на технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.

Корпорация объявила о создании прототипа элемента STT-MRAM, обладающего рекордно низким энергопотреблением. Это делает возможным использование MRAM в качестве альтернативы статической памяти с произвольным доступом (SRAM) в кеше мобильных процессоров для смартфонов и планшетов.

Моделирование показало, что технология Toshiba, предусматривающая использование техпроцесса с нормами «менее 30 нанометров», позволяет снизить энергопотребление стандартного мобильного чипа на две трети при выполнении базовых операций.

О сроках внедрения методики не сообщается.