Изделия, выполненные по 20-нанометровой технологии, обладают ёмкостью 4 Гбит. Они найдут применение в самых разнообразных электронных устройствах.

Компания Samsung продолжает совершенствовать технологии производства компьютерной памяти. Недавно южнокорейский производитель отрапортовал о достижениях в разработке флеш-памяти следующего поколения 3D Vertical NAND (или V-NAND), особенностью которой является трёхмерная структура. Теперь очередь дошла до оперативной памяти DDR3 DRAM (Double-Data-Rate Three DRAM).

Рис. 1. 20-нанометровые чипы памяти Samsung и модуль на их основе (здесь и ниже изображения производителя).

В Samsung начато массовое производство DDR3-чипов по 20-нанометровой технологии. Их ёмкость — 4 Гбит. Утверждается, что это наиболее передовые изделия в своём классе на сегодня.

Производитель подчёркивает, что внедрение 20-нанометровой методики позволяет более чем на 30% увеличить объёмы выпуска чипов по сравнению с 25-нанометровой технологией. Если сравнивать с нормами «30-нанометрового класса», то достигается двукратный прирост.

Рис. 2.

При изготовлении новой памяти использована иммерсионная литография. Из-за присутствия в каждой ячейке DRAM транзистора и конденсатора дальнейшее снижение размеров элементов усложняется. Поэтому компании пришлось задействовать модифицированную технологию двойного формирования рисунка (double patterning) и атомно-слоевого осаждения.

Рис. 3.

Внедрение 20-нанометровой технологии, по заявлениям Samsung, позволяет снизить энергопотребление памяти на 25% по сравнению с изделиями такой же ёмкости, выполненными по 25-нанометровой методике. Память рассчитана на использование в самых разнообразных электронных устройствах.

Новые наработки Samsung лягут в основу технологий производства DRAM-памяти следующего поколения, предусматривающих внедрение «норм 10-нанометрового класса».

Прогнозируется, что в нынешнем году объём глобального DRAM-рынка достигнет в денежном выражении $37,9 млрд. В прошлом году выручка от реализации соответствующей продукции составила $35,6 млрд.