Повышение цен на индий заставляет ученых искать более доступные и приемлемые альтернативы материалу ITO, используемому индустрией для изготовления прозрачных электродов.

В институте KAUST (ОАЭ) разработали простую технологию производства прозрачных транзисторов, базирующихся на оксиде цинка, легированном алюминием (AZO).

Входящие в состав AZO элементы более распространены, чем индий, что делало бы применение этого материала коммерчески оправданным, если бы не одна проблема. Электронные устройства, использующие AZO, существенно уступают по рабочим качествам своим аналогам на базе ITO.

Для того, чтобы преодолеть это препятствие, профессор KAUST, Хусам Альшариф (Husam Alshareef) применил высокоточную технологию атомно-солевого осаждения (ALD), позволяющую изготавливать электронные схемы последовательным нанесением слоев толщиной в один атом.

«Использование ALD для выращивания всех активных слоев упрощает процесс производства схем и существенно улучшает продуктивность их работы», — пояснил он.

Чередуя слои AZO со слоями другого прозрачного материала — оксида гафния, команде Альшарифа удалось получить стабильные тонкоплёночные транзисторы, которые являются главным элементом многих электронных устройств. Их характеристики оказались лучшими среди всех известных до сих пор полностью прозрачных транзисторов с контактами AZO.

Еще один плюс предложенного метода это температура, требующаяся для формирования атомного слоя. Она составляет примерно 160 °C, то есть является достаточно низкой для того, чтобы прозрачные схемы можно было создавать на гибких пластиковых подложках, а также на стекле.