О первом в мире экспериментальном наблюдении эффекта отрицательного преломления электронов на границе раздела между двумя областями проводящего материала с разными свойствами сообщила в журнале Science сводная команда университетов Колумбии и Виргинии под руководством адъюнкт-профессора Кори Дин (Cory Dean).

Впервые возможность отрицательного преломления электронов на полупроводниковом p-n-переходе теоретически предсказали в 2007 г., однако ученым потребовалось почти 10 лет, чтобы воспроизвести его в условиях лаборатории.

Авторы использовали для этого образец из графена, практически свободный от дефектов, способных мешать баллистическому движению носителей заряда. Они показали, что электроны в этом материале атомарной толщины распространяются подобно лучам света, которыми можно манипулировать с помощью оптических приборов — линз или призм.

Результаты исследования открывают перспективу создания сверхбыстродействующих и намного более эффективных, чем прежде, электронных коммутаторов для аналоговых и цифровых схем, работа которых будет строиться не на электронных, а на оптических принципах.