Новый датчик света, разработанный в финском Университете Аальто командой, которой руководит профессор Хеле Савин (Hele Savin), способен улавливать более 96% фотонов с углами падения до 70°, чувствителен к видимому свету, инфракрасному и ультрафиолетовому излучению (длины волн 250–950 нм).

«Современные световые детекторы страдают от больших потерь на отражение, так как сегодняшние антирефлективные покрытия рассчитаны только на определенные длины волн и фиксированные углы падения, — объясняет Савин. — Наш датчик улавливает свет без таких ограничений благодаря наноструктурированной поверхности».

Электрических потерь, свойственных традиционным сенсорам, использующим для сбора света полупроводниковый p-n-переход, удалось избежать благодаря тому, что новое устройство не нуждается в легирующих добавках — вместо этого применяется инвертированный слой, порождаемый отрицательно заряженным алюминиевым покрытием атомарной толщины, нанесенным на тонкую плёнку кремния с n-проводимостью.

Наноструктура поверхности детектора аналогична строению высокоэффективных солнечных элементов из черного кремния, которые тот же коллектив разработал несколько лет назад.

Статья с описанием нового светового датчика вышла в журнале Nature Photonics. На это изобретение уже подана патентная заявка, а первые прототипы тестируются для приложений визуализации в медицине и безопасности.