Контрактный производитель Globalfoundries анонсировал новый 12-нанометровый техпроцесс производства микросхем на базе технологии FD-SOI, которая подразумевает использование полностью обедненного кремния на изоляторе. Платформа 12FDX продолжает развитие технологии, которая дебютировала в прошлом году с 22-нанометровой 22FDX. Компания нацеливает 12FDX на выпуск чипов для мобильных устройств, оборудования для сетей 5G, приложений искусственного интеллекта, автономных автомобилей и др.

Технология 12FDX, как отмечают в Globalfoundries, специально разработана для современных интегрированных схем, где востребован высокий уровень взаимодействия систем, гибкости разработки, а также оптимальный баланс между производительностью, энергопотреблением и стоимостью. 12FDX позволяет объединять в одном чипе сложные логические схемы, беспроводные блоки, цепи аналоговой обработки сигнала и встроенную память. Технология также предлагает широкий диапазон напряжений питания и возможность программной настройки параметров транзисторов.

Производитель развивает FD-SOI как альтернативу популярной технологии FinFET. По данным Globalfoundries, 12FDX принесет такую же производительность, как и 10-нанометровая технология FinFET, при этом обеспечивая меньшее энергопотребление и стоимость ниже 16-нанометровой FinFET. В итоге 12FDX должна обеспечить рост производительности на 15% и уменьшение энергопотребления на 50% по сравнению с современной FinFET.

Начало производства первых заказов по технологии 12FDX запланировано на первое полугодие 2019 г.