Силиконовая Долина может уже в ближайшем будущем изменить свое название на Углеродную Долину из-за того факта, что ученым компании IBM удалось разработать технологию изготовления графеновых транзисторов, которые по своим характеристикам намного превосходят кремниевые транзисторы. Опытные образцы таких транзисторов изготовлены из графена – углеродной пленки, толщиной всего в один атом. Такие транзисторы могут переключаться со скоростью 100 миллиардов раз в секунду, т.е. работать на тактовой частоте 100 ГГц, что в десять раз превосходит подобную характеристику лучших экземпляров кремниевых транзисторов.

Технология производства графеновых транзисторов полностью совместима с существующими сегодня технологиями производства полупроводников, поэтому уже в течение следующих нескольких лет ожидается появление высокопроизводительных микросхем с графеновыми транзисторами в различных устройствах, требующих высоких скоростей и тактовых частот. К таким устройствам можно отнести различное коммуникационное оборудование, устройства отображения информации, радарные и сканирующие устройства. Появления первых микропроцессоров с графеновыми транзисторами и, следовательно, высокопроизводительных компьютеров следует ожидать лет через десять.

Графен является одним из самых перспективных материалов, претендующим на замену кремния в электронике, из-за своих уникальных электрических характеристик. Первые образцы графеновых транзисторов хоть и обладали высоким быстродействием, но технология их изготовления была очень дорога и малоэффективна. Основным препятствием служило то, что очень много времени и энергии уходило на процесс «расслаивания» углерода и получения графеновых пленок.

Несмотря на то, что в последнее время уже появились

технологии получения графеновых пленок достаточно большой площади

, технология, разработанная учеными IBM, позволила избежать реализации шага «расслаивания» углерода и получения графеновой пленки, вместо этого графеновые пленки буквально выращиваются на подложке из карбида кремния, после чего наносятся изолирующие слои, предотвращающие короткие замыкания внутри транзистора. Работы по созданию графеновых транзисторов проводились IBM при непосредственной поддержке Управления перспективных исследовательских программ DARPA.