Технология, разработанная в лаборатории Пенсильванского университета (Penn State), делает возможным получение больших листов тонкоплёночных кремниевых полупроводников в простых малогабаритных реакторах и значительно дешевле, чем с сегодняшними плазменными методами. Об этом сообщается в статье, которая 13 марта вышла в журнале Advanced Materials.

Традиционно тонкоплёночные кремниевые полупроводники изготовляют химическим осаждением из газовой фазы. Силан, газ, состоящий из кремния и водорода, в результате химической реакции расщепляется на составные элементы, которые образуют тонкий слой на поверхности подложки. Для того, чтобы воспрепятствовать испарению и утечке водорода, вся процедура осуществляется при низком давлении, когда весь газ находится в состоянии плазмы — смеси ионов и свободных электронов. Для получения такой низкотемпературной плазмы требуются гигантские и дорогостоящие реакторы.

«Заставив этот процесс протекать в условиях высокого давления, наша новая техника делает удешевляет и упрощает получение больших и гибких полупроводников, которые применяются в плоских мониторах и солнечных панелях и являются вторыми по коммерческой важности полупроводниками», — отмечает профессор Джон Баддинг (John Badding), возглавляющий исследовательскую команду из Penn State.

Эта разработка позволяет низкотемпературным реакциям протекать в значительно меньших объёмах газа, благодаря чему полупроводниковые слои можно одновременно создавать на нескольких поверхностях, и даже на гибкой полосе длиной до 1 км, свернутой в рулон.