Методика, разработанная в Национальной Лаборатории Лоуренса Беркли (Berkeley Lab), позволяет осуществлять химическую сборку транзисторов и электрических схем толщиной всего в несколько атомов. Создаваемые этим способом функциональные структуры достаточно велики, чтобы можно было думать об их практическом и коммерческом применении.

Новая технология описывается в статье, опубликованной 11 июля журналом Nature Nanotechnology. Сотрудники Berkeley Lab рассказали в ней об успешных экспериментах по внедрению однослойного полупроводника — дисульфида молибдена (MoS₂) — в каналы, прорезанные литографическим способом в листе проводящего графена. На стыке двух атомарных плоскостей формировались нанометровые переходы, позволяющие эффективно вводить ток из графена в дисульфид молибдена, из которых были образованы транзисторы атомарной толщины.

В качестве демонстрации прикладного применения полученных структур, ученые собрали из них схему инвертора — логический элемент НЕ. Учитывая же совместимость этой технологии с современными процессами производства полупроводников, по их мнению, нет принципиальных препятствий для химической сборки и целого компьютера из кристаллов атомарной толщины.