Китайские учёные сконструировали пототип зарядовой памяти, в котором используется атомарный слой дисульфида молибдена (MoS₂) — прямозонного полупроводника, относящегося к классу перспективных 2D-материалов — дихалькогенидов переходных металлов. Статья об их разработке опубликована в недавнем номере журнала Applied Physics Letters.

В дополнение к высокой общей производительности, новая память демонстрирует уникальную особенность: содержимое её ячеек можно надёжно стирать световым лучом без какого-либо электрического воздействия. Для записи информации всё же требуется электрическое напряжение.

На основании тестирования исследователи из Института микроэлектроники Китайской Академии Наук, смогли оценить долговременную стабильность разработанных ими двумерных ЗУ. Даже при температуре 85 °C ячейки памяти такого устройства за 10 лет сохраняют примерно 60% заряда, чего вполне достаточно для практических целей.

Такая сверхтонкая память оптимальна для интеграции, например, непосредственно в стеклянную панель дисплеев, что, в свою очередь, позволит уменьшить габариты смартфонов и других портативных гаджетов, в которых эти дисплеи используются.