Открытие, сделанное учеными из Школы физических наук (SPS) Университета Кента (Великобритания) в сотрудничестве с коллегами из других европейских академических учреждений, может привести к появлению нового поколения высокоэффективных источников питания для смартфонов и камер.

Авторы установили, что эффект так называемой геометрической фрустрации может быть использован для повышения ионной проводимости в синтетическом твёрдом материале (в эксперименте это была наноструктурированная смесь фторидов бария и кальция).

Фрустрация, возникающая при смешивании атомов двух различных размеров, нарушает упорядоченность атомов в материале. В полученной, более разрежённой формации заряд переносится значительно быстрее.

Как сообщил руководитель исследовательской группы SPS, доктор Дин Сейль (Dean Sayle), зарядовый транспорт при геометрическом фрустрировании может увеличиваться на пять порядков. Результаты работы представлены в статье для издания Journal of the American Chemical Society.