Графеноподобный висмут обещает прорыв в технологиях спинтроники
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Поверхностные каналы топологических изоляторов (ТИ) можно использовать для эффективной передачи и обработки информации, закодированной в спине электронов. Однако для сохранения квантовых свойств таких каналов все известные ТИ приходится охлаждать примерно до –270 °C, что делает малопрактичным прикладное применение этой спинтронной технологии.
Физики из Вюрцбургского университета (Германия) представили в журнале Science элегантное решение, позволяющее обойти данную проблему. Оно базируется на использовании особой комбинации материалов, состоящей из одного слоя атомов висмута на подложке из карбида кремния.
В такой тонкой пленке кристаллическая структура карбида кремния заставляет тяжелые атомы висмута выстраиваться, образуя решётку с шестиугольными ячейками, аналогичную структуре графена.
Помимо этой схожести, побудившей синтезировавших новый материал ученых назвать его висмутеном, имеется и важное отличие от графена — наличие химических связей с подложкой. Именно они обеспечивают данному материалу уникальные электронные свойства, открытые в ходе компьютерного моделирования.
Если обычный висмут это электропроводный металл, то гексагональный монослой остаётся ярко выраженным изолятором, даже при комнатной температуре и намного выше её. Каналы электронной проводимости располагаются на краях образца висмутена. Их существование было доказано теоретически и подтверждено экспериментами команды из Вюрцбурга.
Такие каналы проводимости имеют «топологическую защиту», то есть могут использоваться для передачи информации, в том числе нескольких электронных спинов, практически без потерь, что создаёт предпосылки для эффективных информационных приложений спинтроники.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев