На конференции Flash Memory Summit, проходившей недавно в Калифорнии и посвященной разным вопросам, связанным с флэш-памятью, компания Samsung представила вниманию общественности новую технологию флэш-памяти с трехмерным размещением ячеек (V-NAND). Помимо самой технологии представители Samsung продемонстрировали опытные чипы V-NAND памяти, емкостью в 1 терабит, и несколько типов твердотельных SSD-накопителей на основе этих чипов.

Согласно имеющейся информации массовое производство терабитных чипов V-NAND флэш-памяти начнется уже в следующем году. Помимо самих чипов компания Samsung разработала высокопроизводительный универсальный контроллер памяти, который способен объединить в один массив, емкостью в 2 терабайта, 16 терабитных чипов. Для справки, емкости такого массива достаточно для хранения до 70 высококачественных двухчасовых фильмов

Параллельно с началом выпуска терабитных чипов V-NAND флэш-памяти, компания Samsung начнет производство 16-терабитных твердотельных накопителей NGSFF SSD. Размеры этих накопителей будут равны 30.5×110×4.38 мм и они ориентированы на применение в стоечных серверах форм-фактора 1U.

О «серверном» назначении накопителей NGSFF SSD говорит то, что они имеют рекордную плотность хранения информации и обеспечивают высокое быстродействие, измеряемое в количестве операций ввода-вывода в секунду (IOPS, input/output operations per second). Замена накопителями NGSFF SSD накопителей предыдущего поколения M.2 позволит увеличить информационную емкость системы хранения каждого сервера минимум в четыре раза.

Для демонстрации преимуществ новых накопителей NGSFF SSD компания Samsung продемонстрировала сервер типоразмера 1U, хранилище которого состоит из 36 накопителей NGSFF SSD и его емкость составляет 576 TB. Такая система может справиться с нагрузкой в 10 миллионов операций ввода-вывода в секунду, что в три раза больше нагрузки, которую способен выдержать сервер, оборудованный стандартными 2.5-дюймовыми SSD-дисками аналогичной суммарной емкости.