В работе, опубликованной журналом Nature 17 в этом месяце, сотрудники Висконсинского Университета в Мадисоне описали созданный ими уникальный процесс, значительно упрощающий изготовление и исследование высококачественных магнитоэлектрических материалов для устройств памяти следующего поколения.

До сих пор для изучения взаимодействия электрических и магнитных свойств таких материалов приходилось использовать очень сложные образцы, имеющие неоднородную структуру.

Использовав методику последовательного нанесения атомарно тонких слоёв, исследователи смогли осуществить управляемый синтез монокристаллической плёнки феррита висмута. Сверху они нанесли магнитный слой кобальта, а снизу — рутенат стронция, выполняющий функцию электрода.

Высокая однородность полученного материала делает его поведение и все измерения хорошо воспроизводимыми. Наряду с улучшением общего понимания механизмов магнитоэлектрических процессов это поможет производителям в совершенствовании коммерческой электроники.

«Теперь мы можем приступить к конструированию гораздо более эффективных и энергоэкономичных устройств», — отмечают авторы статьи.