Объединённая команда учёных Лаборатории материалов наноэлектроники (NaMLab gGmbH) и CFAED (Cluster of Excellence Center for Advancing Electronics Dresden) продемонстрировала первый в мире германиевый транзистор с переключаемым типом проводимости.

Меньшая ширина запрещённой зоны германия по сравнению с кремнием позволила снизить расход энергии и напряжение питания транзистора. Тип проводимости — электронная (n) или дырочная (p) — определяется напряжением, поданным на один из электродов затвора.

Использование материалов с узкой запрещённой зоной, таких как германий или арсенид индия, открывает перспективы дальнейшей миниатюризации транзисторов и увеличения производительности микроэлектронных схем. Одной из главных проблем таких материалов является более высокий уровень статических потерь энергии в выключенном режиме транзистора. Коллектив NaMLab/CFAED решил её сконструировав из германиевых нанопроводов транзистор с независимыми затворными зонами.

«Полученные нами результаты впервые демонстрируют низкое рабочее напряжение в сочетании с уменьшенной утечкой и являются ключевой предпосылкой для создания новых энергоэффективных схем», — заявил доктор Вальтер Вебер (Walter Weber), возглавляющий в CFAED Лабораторию исследований нанопроводников.

Он является одним из автором статьи, опубликованной в журнале ACS Nano.