На базе германия создан транзистор с изменяемом типом проводимости

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Объединённая команда учёных Лаборатории материалов наноэлектроники (NaMLab gGmbH) и CFAED (Cluster of Excellence Center for Advancing Electronics Dresden) продемонстрировала первый в мире германиевый транзистор с переключаемым типом проводимости.

Меньшая ширина запрещённой зоны германия по сравнению с кремнием позволила снизить расход энергии и напряжение питания транзистора. Тип проводимости — электронная (n) или дырочная (p) — определяется напряжением, поданным на один из электродов затвора.

Использование материалов с узкой запрещённой зоной, таких как германий или арсенид индия, открывает перспективы дальнейшей миниатюризации транзисторов и увеличения производительности микроэлектронных схем. Одной из главных проблем таких материалов является более высокий уровень статических потерь энергии в выключенном режиме транзистора. Коллектив NaMLab/CFAED решил её сконструировав из германиевых нанопроводов транзистор с независимыми затворными зонами.

«Полученные нами результаты впервые демонстрируют низкое рабочее напряжение в сочетании с уменьшенной утечкой и являются ключевой предпосылкой для создания новых энергоэффективных схем», — заявил доктор Вальтер Вебер (Walter Weber), возглавляющий в CFAED Лабораторию исследований нанопроводников.

Он является одним из автором статьи, опубликованной в журнале ACS Nano.

13y5wgkn.jpg
Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.5 (2 votes)
Источник(и):

ko.com.ua