В совместном эксперименте сотрудников Осакского Университета и Научно-технического института префектуры Нара (Япония) впервые получены изображения с атомарным разрешением боковых сторон кремниевых 3D-чипов.

Эта работа будет способствовать дальнейшим инновациям в производстве полупроводников, созданию более компактных, быстрых и эффективных чипов для компьютеров и смартфонов.

Использовавшийся для визуализации боковых поверхностей кремниевого кристалла сканирующий туннельный микроскоп (STM) это мощный инструмент, который позволяет показывать даже местоположение отдельных атомов. Для того, чтобы сделать торцевые поверхности опытного образца возможно более гладкими, исследователи применили для их предварительной обработки технику реактивного ионного травления.

«Наша работа это первый большой шаг к оценке строения 3D-транзисторов с атомным разрешением», — сообщил соавтор посвящённой данному исследованию статьи в Japanese Journal of Applied Physics, Азуса Хаттори (Azusa Hattori). Его коллега, Хидэкадзу Танака (Hidekazu Tanaka) отметил, что успешная визуализация боковых поверхностей с помощью STM доказывает практическую возможность изготовления искусственных 3D-структур с почти идеальной упорядоченностью атомов на поверхности.