Об открытии, существенно продвигающем вперёд исследования по созданию встраиваемого в микросхемы нанолазера с электронной накачкой, в недавнем издании Nano Letters рассказали физики Вашингтонского университета в г. Сиэтл.

Эта команда продемонстрировала усиленную нанополостным резонансом электролюминесценцию атомарно тонкого монослойного материала. Обычно, из-за предельно малой толщины 2D-полупроводника такое излучение имеет низкую интенсивность, отсюда следует необходимость интеграции с фотонными устройствами (в данном случае, с нанолазером).

Год назад те же авторы сообщили о создании функционирующего лазера с оптической накачкой, в котором использовались 2D-материал и нанополость. Но для практических приложений, таких как высокопроизводительные параллельные вычисления или энергоэффективные ЦОД, оптимальным вариантом являются устройства, работающие только от электричества.

В новом опытном образце нанополость усиливает слабое и рассеянное электролюминесцентное излучение монослойного материала и делает его одномодовым (направленным). Это делает возможной прямую модуляцию, необходимую для передачи данных.

«Наша команда сейчас изучает интеграцию монослойных материалов с платформой нитрида кремния, — сообщил доцент кафедры физики и электротехники Вашингтонского университета Арка Маюмдар (Arka Majumdar). — Благодаря этому мы рассчитываем добиться нужной совместимости с КМОП-процессом, используемым сегодня для изготовления компьютерных процессоров».