Доктор Элтон Сантос (Elton Santos) из Университета Квинс в Белфасте (Северная Ирландия) в кооперации с ведущими специалистами из Стэнфорда, Калифорнийского университета и Национального института материаловедения (Япония) создал уникальный материал, способный произвести переворот в концепции умных устройств.

Это гибридное решение, состоящее из слоёв атомарной толщины, скреплённых вместе силами Ван дер Ваальса, комбинирует полупроводящие молекулы фуллерена (C₆₀) с 2D-материалами: графеном и гексагональным нитридом бора (hBN), и сочетает в себе их уникальные свойства, не встречающиеся в каком-либо одном естественном материале.

«Наши результаты показывают, что этот новый «чудо-материал» обладает такими же физическими свойствами, что и кремний, но при этом также улучшенной химической стабильностью, легкостью и гибкостью, а использующие его умные устройства будут значительно более устойчивыми к разрушению, — отметил доктор Сантос. — Такие устройства благодаря своей архитектуре будут расходовать меньше энергии, чем прежде, что улучшит время жизни батарей и снизит риск коротких замыканий».

Не последнее значение имеет также совместимость созданного гибридного материала с существующими технологиями крупномасштабного полупроводникового производства.

Эта работа, результаты которой опубликованы в журнале ACS Nano, открывает двери для дальнейших исследований новых материалов. Остающуюся проблему данной архитектуры — отсутствие запрещённой зоны — команда Сантоса рассчитывает решить дополнив свою комбинацию материалов дихалькогенидами переходных металлов.