Новый способ выращивания полупроводящих полосок графена, как уверяют его авторы из Окриджской Национальной Лаборатории Минэнергетики США и из Университета Северной Каролины, свободен от недостатков, мешавших реализовать полный потенциал этого лёгкого и прочного материала в электронных приложениях.

Раньше нанополоски графена получали на поверхности из каталитического металла, которая оказывала нежелательное влияние на электрические свойства синтезируемого материала.

В новой работе, о которой рассказывается в журнале Nature Communications, впервые использовался полимерный исходный материал. В него внедряли носители зарядов, которые инициировали реакцию превращения полимера в полоску графена с широкой запрещённой зоной без применения металлического катализатора.

Кроме того, описанный метод позволяет в нужных местах создавать интерфейсы между материалам с разными электрическими свойствами. Такие интерфейсы — неотъемлемая полупроводниковых устройств от интегральных схем и транзисторов до светодиодов и солнечных батарей.