Samsung Electronics разработала микросхему флэш-памяти V-NAND ёмкостью 1 ТБ, которая со следующего года появится (в виде модулей по 2 ТБ) в составе коммерческих продуктов. Использование данного чипа вместо анонсированной в июне 64-слойной памяти V-NAND на 256 Гб позволит существенно увеличить вместимость отдельного SSD-накопителя.

Этот анонс был сделан на мероприятии Flash Memory Summit в Сан-Франциско (штат Калифорния). Там же корейским производителем был представлен SSD в новом компактном форм-факторе Next Generation Small Form Factor (NGSFF), который призван сменить существующий стандарт M.2.

Компания уже наладила выпуск образцов 16-терабайтных NGSFF SSD. Их габариты (30,5×110×4,38 мм) позволят в четыре раза увеличить объём памяти в серверных блоках 1U и оптимизировать использование пространства в ЦОД.

Продемонстрированная компанией референсная серверная система комплектуется 36 16-терабайтными NGSFF SSD (576 ТБ). Использование стойки 2U позволит достичь петабайтной ёмкости.

Производство NGSFF SSD начнётся в IV квартале этого года, а в I квартале следующего планируется завершить их стандартизацию в Ассоциации твердотельных технологий (JEDEC), необходимую для внедрения.

Samsung также показала SZ985, SSD с технологией Z-SSD, предназначенный для крупномасштабных и интенсивных приложений, таких как аналитика больших данных в реальном времени или высокопроизводительное серверное кэширование. Его время задержки не превышает 15 мкс, это примерно в семь раз меньше, чем у NVME SSD.

На уровне приложения «использование Samsung Z-SSDs может сократить время отклика системы в 12 раз по сравнению с применением NVMe SSD», — добавила компания.

Ещё одним новшеством Samsung, обнародованным на калифорнийской конференции, стала технология Key Value SSD. Отказ от блочной организации позволяет ей напрямую обращаться к местоположению нужной информации, что устраняет избыточные шаги, ускоряет ввод/вывод и уменьшает цены.