Создана новая композитная структура для высокоплотной магнитной памяти
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Команда ученых из Университета Пердью, Национальных Лабораторий Сандиа и Лос-Аламоса и ряда других организаций разработала многослойную структуру, позволяющую уменьшить размеры и увеличить надёжность компьютеров, смартфонов и прочих устройств, использующих в своей работе запись цифровых данных.
С помощью лазерного напыления они вырастили на подложке SrTiO3 (STO) систему вертикально чередующихся нанокомпозитных слоёв. Эти прослойки микрометровой толщины демонстрируют сильное вертикальное (перпендикулярное) магнитное взаимодействие.
Контролируя состав слоёв нанокомпозитов, определяющий плотность, степень структурной нагрузки и магнитный фазовый переход, можно настраивать каждый из материалов на состояние максимальной чувствительности, что важно для обеспечения стабильности магнитных устройств.
Эта новая архитектура, представленная в статье журнала Nanoscale, может найти применение в высокоплотных запоминающих устройствах и головках чтения-записи жёстких дисков, как более компактная, стабильная и высокопроизводительная альтернатива традиционным планарным технологиям.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев