Американские инженеры предложили способ повышения производительности транзисторов, отличающийся от постоянного сокращения их размеров, предсказанного основателем компании Intel Гордоном Муром. О своем исследовании они рассказали в журнале Nanotechnology.

Согласно закону Мура количество транзисторов, которое можно разместить на микросхеме одного размера, каждые два года увеличивается в два раза. Однако рано или поздно уменьшать транзисторы дальше станет невозможно. Авторы статьи предложили альтернативный путь в виде совмещения функций различных полупроводниковых устройств.

В качестве примера новой стратегии они предложили устройство, совмещающее в себе функции трех других: p-n диода, MOSFET и биполярного транзистора (это разные типы транзисторов: основанный на p-n переходе, с изолированным затвором и трехэлектродный соответственно).

«В то время как на современном оборудовании эти устройства можно производить отдельно, и часто требуется сложная схема для их совместной работы, мы можем создать один прибор, выполняющий функции трех устройств», — рассказал один из авторов разработки, инженер из Университета штата Нью-Йорк Чжи-Юнь Ли.

Разработка основана на использовании двумерного селенида вольфрама, недавно открытого представителя класса дихалькогенидов переходных металлов. Этот материал ценится при разработке электронных устройств, так как, в отличие от графена, ширину запрещенной зоны у него можно настраивать, изменяя толщину слоя проводника.