Команда из Техасского университета в Остине в сотрудничестве с учёными Пекинского университета (Китай) разработала сверхтонкое устройство высокоёмкой памяти, опровергнув бытовавшее долгое время мнение о невозможности создания памяти из материалов толщиной в один атом.

В январском номере Nano Letters, техасские инженеры представили изготовленные ими «атомристоры», которые по их словам, являются усовершенствованными мемристорами с лучшими перспективами миниатюризации. В атомристоре в качестве электродов используются металлические 2D-листы графена, а активным слоем выступает 2D-полупроводник, сульфид молибдена. Толщина такого сэндвича составляет всего 1,5 нм, что позволяет размещать атомристоры послойно в 3D-чипах и делает зарядовый транспорт в них более эффективным и быстрым.

Запоминающие устройства и транзисторы всегда были отдельными компонентами в микрочипах, но атомристоры комбинируют обе эти функции в единой и более эффективной компьютерной системе. А в сочетании с их размером, ёмкостью и гибкостью интеграции это делает атомристоры критичными для успешной разработки компьютеров, имитирующих функционирование человеческого мозга.

Другим уникальным приложением для атомристоров будет использование их в качестве сверхэкономичных и самых миниатюрных из существующих радиочастотных коммутаторов. В этой роли они смогут значительно увеличить срок автономной работы портативных устройств с беспроводным подключением, таких как планшеты и смартфоны.

«В целом, мы считаем, что это открытие имеет реальную коммерческую ценность, поскольку оно не конфликтует с существующими технологиями, а, скорее, призвано дополнять их и интегрироваться с кремниевыми чипами, уже применяемыми в современной технике», — говорится в статье.