МОСКВА, 31 авг — РИА Новости. Ученые Донского государственного технического университета (ДГТУ) вместе с коллегами из Вьетнама и Пакистана разработали ультратонкую гетероструктуру графен/g-GaSe (галлий-селен) для производства новейшей электроники, сообщили РИА Новости в пресс-службе ДГТУ.

В 2010 году работа по изучению графена — первого в мире материала толщиной в один атом — была отмечена Нобелевской премией по физике. Сегодня графеновые гетероструктуры активно используют как основу для элементов множества электронных устройств (микросхем, транзисторов и так далее). 

«Мы реализовали комбинацию электронной структуры графена и графеноподобного монослоя GaSe в ультратонкой гетероструктуре и показали, что ее электронные свойства хорошо сохраняются. В гетероструктуре формируется контакт Шоттки n-типа с высотой барьера Шоттки 0,86 эВ, который может эффективно управляться внешним электрическим полем, внутриплоскостными напряжениями и межслойным взаимодействием», – рассказал профессор кафедры физики ДГТУ Виктор Илясов.

Результаты исследований опубликованы в научных журналах Journal of Alloys and Compounds, Superlattices and Microstructures и Vacuum. По мнению ученых, они важны как для разработки гетероструктур на основе интерфейса графен/g-GaSe, так и для понимания физических свойств двумерных ван-дер-ваальсовских гетероструктур из графена.

ДГТУ стал первым вузом России, получившим в феврале 2018 года статус опорного университета региона. Опорный университет должен стать центром инновационного развития Ростовской области.