Технологии микроэлектроники на пальцах: «закона Мура», маркетинговые ходы и почему нанометры нынче не те. Часть 2
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
В первой части мы рассмотрели вкратце физику кремния, технологии микроэлектроники и технологические ограничения. Теперь поговорим о физических ограничениях и физических эффектах, которые влияют на размеры элементов в транзисторе. Их много, поэтому пройдемся по основным. Здесь придется уже влезть в физику, иначе никак.
Disclaimer: Когда-то давно и сам баловался написанием статей про изготовление чипов, а в серии статей «Взгляд Изнутри» даже заглядывал внутрь оных, т.е. тема мне крайне интересна. Естественно, я бы хотел, чтобы сам автор оригинальной статьи опубликовал её на Хабре, но в связи с занятостью он разрешил мне перенести её сюда. К сожалению, правила Хабра не разрешают прямую копи-пасту, поэтому я добавил ссылки на источники, картинки и немножко отсебятины и постарался чуть-чуть выправить текст. Да и статьи (1 и 2 ) по данной теме от amartology знаю и уважаю
Физические эффекты в микроэлектронике
Порядок основных величин для кремния
Концентрация атомов кремния в кристалле – 1022 см-3 Концентрация собственных электронов и дырок при комнатной температуре – 1010 см-3 Концентрация примесных атомов с слаболегированных областях – 1016-1018 см-3 Концентрация примесных атомов с сильнолегированных областях – 1019-1020 см-3 Концентрация примесных атомов с очень сильнолегированных областях – 1021 см-3. В этом случае говорят уже о вырожденном полупроводнике, поскольку такая концентрация (один атом примеси на 10 и менее атомов кремния) меняет энергетическую структуру кристалла.
Зависимости характеристик кремния от температуры
Из первой части мы помним, что при комнатной температуре чистый кремний — диэлектрик. Пара электрон-дырка возникает только в одном из триллиона случаев, но эта доля растет с повышением температуры по экспоненте. Есть такое понятие — температура удвоения концентрации собственных носителей зарядов. Для кремния это примерно 9 градусов.
Т.е. повышаем температуру на 9 градусов, процент распавшихся атомов кремния увеличивается в 2 раза; на 18 градусов – в 4 раза; 27 градусов – в 8 раз; 36 градусов – в 16 раз; 45 – в 32 раза; 90 — в 1024 раз; 180 – в 106 раз; 270 — 109 раз.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев