Институт физики микроструктур РАН - лидер в области нанонауки и нанотехнологии

-->

НАЦЕЛЕНЫ НА ПРИОРИТЕТЫ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ

Учреждение Российской академии наук – Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) образован в 1993 г. Это первый институт в составе Отделения физических наук РАН, тематика которого была целиком определена в области нанотехнологий. Директор-основатель ИФМ РАН академик С.В.Гапонов считает, что сейчас Институт стал одним из наиболее сбалансированных по научной, образовательной, кадровой и материальной составляющим и имеет блестящую перспективу

krasilnik_zaxary.jpg Захарий КРАСИЛЬНИК

Институт проводит исследования в области твердотельных наноструктур, сверхпроводимости (включая высокотемпературную), физики поверхности и многослойной рентгеновской оптики, в области технологий формирования и применения полупроводниковых, магнитных и сверхпроводящих тонких пленок, поверхностных и многослойных структур.

  • Технологические и экспериментальные работы ИФМ РАН в области рентгенооптики многослойных тонкопленочных структур ориентированы как на исследование фундаментальных свойств в рентгеновском диапазоне, так и на создание базы рентгеновской литографии, и широко признаны ведущими мировыми центрами.

Открытие высокотемпературной сверхпроводимости стимулировало выбор этого направления как одного их приоритетных в тематике Института. Получены важные результаты в создании и исследовании магнитных и транспортных свойств тонкопленочных образцов высокотемпературных сверхпроводников.

  • Одно из основных направлений работы Института – исследование транспортных и оптических свойств полупроводниковых наногетероструктур, включая физику сверхрешеток и систем с квантовыми ямами и квантовыми точками, оптику наноструктур, разработку новых типов полупроводниковых лазеров, изучение магнитотранспортных свойств полупроводниковых наноструктур. Институт занимает лидирующие позиции в области физических и технологических основ кремниевой оптоэлектроники. Развиваются методы молекулярно-пучковой эпитаксии, светоизлучающих структур на основе SiGe/Si и Si:Er/Si, исследуются физические принципы фотоприемников, светодиодов и лазеров на их основе.

Работы по низкокогерентной интерферометрии, ведущиеся в Институте, дали практический выход. Создана серия приборов для контроля качества процесса изготовления стекла (установлено 13 комплектов на стекольных заводах в России и за рубежом) и мониторинга технологических процессов на производстве: высокоточного мониторинга температуры, толщины и изгиба прозрачных подложек при формировании пленочных структур.

  • ИФМ РАН имеет тесные связи с Нижегородским государственным университетом им. Н.И. Лобачевского, Национальным исследовательским университетом (ННГУ). В 2004 г. была открыта, по-видимому, первая в университетах России кафедра физики наноструктур и наноэлектроники – базовая кафедра ННГУ в ИФМ РАН.

Захарий КРАСИЛЬНИК, директор ИФМ РАН, профессор, лауреат Государственной премии СССР в области науки и техники


ИФМ РАН:

ГСП-105, г. Нижний Новгород, 603950, Россия

Тел.: +7 (831) 438–55–55,

факс: +7 (831) 438–55–53,

E-mail: director@ipm.sci-nnov.ru

www.ipmras.ru

http://www.sovetnikprezidenta.ru/…anotech.html



nikst аватар

Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) образован в 1993 г. Это первый институт в составе Отделения физических наук РАН, тематика которого была целиком определена в области нанотехнологий. Директор-основатель ИФМ РАН академик С.В.Гапонов считает, что сейчас Институт стал одним из наиболее сбалансированных по научной, образовательной, кадровой и материальной составляющим и имеет блестящую перспективу.

  • В добрый путь и новых достижений!..