Метод обработки графена для создания углеродных микропроцессоров

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

-->

Сверхточное травление позволит создать углеродные микропроцессоры

МОСКВА, 4 фев – Ученые продемонстрировали метод обработки графена, позволяющий создавать на его основе микронные электрические цепи, состоящие полностью из углерода, сообщается в статье исследователей, опубликованной в журнале Science

grafen_1.jpg .

В перспективе на основе данной технологии можно будет создавать сверхминиатюрные наноразмерные микросхемы и микрпроцессоры, обладающие низким энергопотреблением и гораздо большей скоростью работы, нежели современные кремниевые аналоги.

Разработка позволяет удалять с поверхности углеродного материала ровно один атомарный слой в тех участках, где это необходимо с разрешением по площади в несколько микрон. Это позволит размещать на углеродном микрочипе по соседству друг с другом графеновые конструкции из одного слоя материала, двух, трех и так далее.

  • «Единичный слой графена обладает металлической проводимостью, тогда как двойной слой проявляет полупроводниковые свойства, на основании чего можно создать наноразмерный транзистор. Возможность создавать единичный слой графена по соседству с двухслойной углеродной структурой, рядом с которой можно разместить еще и трехслойную, крайне привлекательна. Вы получаете возможность создать набор электронных устройств, расположить их в каком угодно порядке на одном углеродном микрочипе, и для этого нужно всего лишь аккуратно последовательно удалить несколько слоев гравена», – прокомментировал работу для интернет-издания New Scientist ее ведущий автор Джеймс Тур (James Tour) из Райсовского университета в Техасе, США.
  • Методика удаления одного слоя графена с углеродной поверхности, образованной несколькими такими слоями, крайне проста – она подразумевает распыление металлического цинка на углеродной поверхности с его дальнейшим удалением с помощью раствора соляной кислоты. В ходе распыления атомы цинка проникают в верхний углеродный слой, нарушая его, однако глубже проникнуть не могут, поэтому их растворение в соляной кислоте приводит к удалению только одного, самого верхнего слоя углеродного материала.

jim_tour06001-232x350.jpg James Tour

Для того, чтобы удалить не весь верхний слой, а отдельные его фрагменты, ученые предлагают распылять цинк поверх шаблона, маски, наложенной на углеродную поверхность. В работе ученым удалось таким образом вытравить на поверхности графена рисунок в микрометровом разрешении сову – символ Райсовского университета.

«В своей работе мы предоставили инструмент, гаечный ключ, для многих других научных групп, занятых в данной области. Теперь им предстоит разобраться с этим инструментом и умело им воспользоваться», – добавил Тур.

Графен представляет собой одиночный слой атомов углерода, соединенных между собой структурой химических связей, напоминающих по своей геометрии структуру пчелиных сот. Он обладает уникальными физико-химическими свойствами, что делает графен и его модификации очень привлекательными для использования в различных областях науки и техники.

  • Нобелевская премия 2010 года по физике была присуждена за создание графена выходцам из России, работающим в Великобритании – Константину Новоселову и Андрею Гейму.

http://www.rian.ru/…2125443.html

Scientists demo atomic layer lithography on graphene



nikst аватар

Ну, голь на выдумки хитра!.. (в хорошем, разумеется, смысле). Молодцы ребята! Фактически, они воспользовались (почти) таким же способом, какой применили Костя Новосёлов и Андрей Гейм, чтобы «обмануть» (обойти) природу…

  • Методика удаления одного слоя графена с углеродной поверхности, образованной несколькими такими слоями, использованная ими, крайне проста – она подразумевает распыление металлического цинка на углеродной поверхности с его дальнейшим удалением с помощью раствора соляной кислоты. В ходе распыления атомы цинка проникают в верхний углеродный слой, нарушая его, однако глубже проникнуть не могут, поэтому их растворение в соляной кислоте приводит к удалению только одного, самого верхнего слоя углеродного материала.

Простенько, но со вкусом… (Кстати, в группе исследователей, применивших эту технологию, были и «наши ребята»: Layer-by-Layer Removal of Graphene for Device Patterning – Ayrat Dimiev, Dmitry V. Kosynkin, Alexander Sinitskii, Alexander Slesarev, Zhengzong Sun, and James M. Tour… ;-))

  • Наши поздравления и пожелания новых достижений!..