Радиоэлектроника на базе нанотехнологий
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Радиоэлектроника Красноярска в формате нанотехнологий
Институт радиоэлектроники КГТУ (в настоящее время РТФ СибФУ) ведет научную и образовательную деятельность в области наноэлектроники и нанотехнологий. За 15 лет НИР коллективом сотрудников получены следующие результаты.
Громыко А.И., директор ИРЭ
Созданы:
• экспериментальные образцы полевого эмиссионного дисплея на планарно-торцевых углеродных эмиттерах;
• матрицы кремниевых автоэлектронных эмиттеров с наноразмерными эмиссионными центрами для устройств вакуумной микроэлектроники;
• новые композиционные материалы на основе ультрадисперсных алмазов для технологий электроники.
Разработаны методы и режимы:
• получения наноразмерных пленок различного функционального назначения (сегнетоэлектрических, ферритовых и др.);
• модификации поверхности полупроводников, в частности получения пористого кремния;
• повышения кпд электрических нагревателей жидкости за счет нанесения на нагревательные элементы пленок металла со сформированными на поверхности обращенной к нагреваемой жидкости, микроострий.
• Указанные разработки защищены патентами РФ и поддержаны грантами РФФИ, INTAS и Красноярского краевого фонда науки (ККФН);
В настоящее время основными направлениями исследований являются:
• получение наноразмерных гетероструктур на основе пористых полупроводников и функциональных сложнооксидных материалов для элементов солнечных батарей;
• разработка жидкостных сенсоров на основе пористого оксида алюминия;
• разработка сенсоров ИК-излучения на основе МДМ-структур с туннельно-тонким нанопористым оксидом алюминия;
• разработка методов анализа многокомпонентных газовых смесей на основе автофотоэлектронных полупроводниковых микроструктур, чувствительных в ИК–диапазоне.
Данные разработки поддерживаются грантами РФФИ № 06–08–01343-а и РФФИ-ККФН «Енисей» №07–03–96803.
РТФ СибФУ: 660074, Красноярск, ул. Киренского 28.
Тел/факс: (3912) 43–16–66.
E-mail:grom@ire.krgtu.ru
http://sovetnikprezidenta.ru/49/5_nano.html
Институт радиоэлектроники КГТУ
Ну вот, где-то далеко-далеко (по крайней мере, от Москвы), в далёкой Сибири тоже работают люди. И, судя по всему, работают неплохо… И вот они, по-военному кратко и чётко, но весьма информативно докладывают о результатах проведённых работ. Думаю, для специалистов будет немало интересного в их сообщении. Поздравляя коллектив КРГТУ, желаем им новых творческих успехов и достижений!..
- nikst's блог
- Войдите на сайт для отправки комментариев