Главная

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Созданы высокопроизводительные солнечные элементы, сенсибилизированные органическими красителями

Опубликовано Kostukova в 18 февраля, 2009 - 18:45

На базе японского Национального Института Передовой Прикладной Науки и Технологии (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST) создан высокоэффективный солнечный элемент, сенсибилизированный органическим красителем (dye-sensitized solar cell, DSSC).

Нанолазеры с рекордно широким диапазоном перестройки

Опубликовано birger в 18 февраля, 2009 - 00:29

Исследовательская группа Университета штата Аризона продемонстрировала полупроводниковый лазерный чип с абсолютно рекордной шириной перестройки излучения по длинам волн – от 500 до 700 нм. Полупроводниковые лазеры с широкой полосой перестройки дают исключительные возможности использования в различных приложениях, начиная со спектроскопии и телекоммуникаций и кончая микросхемами для биологических и химических детекторов.

Нанотехнологии в производстве бумаги

Опубликовано Kostukova в 17 февраля, 2009 - 13:56

Ученые из Университета Виктории (Victoria University of Wellington) в Новой Зеландии разработали ряд новаторских подходов для бумажной промышленности, в основе которых – использование достижений нанотехнологии. По оценкам экспертов, новая продукция будет востребована и создаст перспективный сегмент рынка бумажной индустрии в Новой Зеландии.

Двурукий ДНК-наноробот поработает на наностройке

Опубликовано empirv в 17 февраля, 2009 - 12:22

Генетики превратили главную молекулу организма в конструктор. Они создали из ДНК двурукого наноробота, который может избирательно захватывать различные биомолекулы.

Структурные особенности краев графеновых частиц усложняют инженерные задачи

Опубликовано Kostukova в 17 февраля, 2009 - 09:24

То, каким образом построены края графеновых листов, может иметь большое значение в стратегии разработки графеновой наноэлектроники.

Инженеры революционизируют изготовление нано-изделий литьем из металлического стекла

Опубликовано birger в 17 февраля, 2009 - 03:15

Ученые из Йельского Университета (Yale University) детально описали новый тип металла и технологию его литья, который может революционизировать процессы изготовления изделий наноразмеров, начиная от компьютерной памяти до биомедицинских датчиков. Изделия из нового материала могут быть отлиты точно так же, как из пластмассы, детали изделий нано размера имеют высокую точность, а сам металл при этом остается тверже и прочнее, чем кремний или сталь.

Первые 32-нанометровые микросхемы для мобильных устройств от лидера отрасли – компании ARM

Опубликовано birger в 17 февраля, 2009 - 01:29

Лидер в производстве процессоров для мобильных устройств – британская компания ARM (ARM Limited) на выставке/конгрессе Mobile World Congress 2009 демонстрирует первые чипы для мобильных устройств, изготовленные с применением 32-нанометровой технологии (Cortex Processor).

Наблюдательный совет РОСНАНО утвердил участие Корпорации в проекте по созданию производства поликристаллического кремния

Опубликовано Tiniel в 16 февраля, 2009 - 16:25

Наблюдательный совет Российской корпорации нанотехнологий утвердил участие Корпорации в проекте по созданию первого в России масштабного комплекса по производству поликристаллического кремния и моносилана.

18 февраля состоится визит делегации РОСНАНО в Екатеринбург

Опубликовано Tiniel в 16 февраля, 2009 - 16:20

18 февраля делегация Российской корпорации нанотехнологий (РОСНАНО) во главе с председателем правления, генеральным директором корпорации Анатолием Чубайсом посетит Екатеринбург.

«Курчатовский институт» и Объединенный институт ядерных исследований подписали соглашения о сотрудничестве

Опубликовано Tiniel в 16 февраля, 2009 - 10:39

13 февраля в Российском научном центре «Курчатовский институт» директор Объединенного института ядерных исследований (ОИЯИ, г.Дубна) А.Н.Сисакян и директор РНЦ «Курчатовский институт» (РНЦ «КИ») М.В.К