Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Freescale продвигает запоминающие устройства на основе магниторезистивного эффекта (MRAM)

Freescale Semiconductor рассматривает магнитную память (MRAM) как альтернативу сегодняшним полупроводниковым динамической (DRAM) и флэш оперативной памяти.

Нано-кожа для зданий – нестандартное решение проблем экологии

Так называемые «зеленые идеи» в настоящее время очень популярны, не только из-за многочисленной рекламы и заявлений, что экологично – значит модно, но и из-за того, что в скором будущем у человечества

Nvidia разработала видеокарты нового поколения

Компания Nvidia запустила производство видеокарт GeForce GTX 280 и GeForce GTX 260. Известно, что они созданы на базе нового графического процессора GT200, выполненного по 65-нанометровому технологическому процессу.

Samsung получает первое в мире устройство для работы с 450-мм подложками

Эра 450-мм подложек уже началась, хотя пока не ясно, не приведет ли она к банкротству производителей оборудования для полупроводниковой технологии (см., например, Nanonewsnet.ru)

Abu Dhabi вливает 2 млрд. долларов в солнечную энергетику

Правительство ОАЭ в рамках Masdar Initiative инвестирует 2 млрд. долларов в тонкопленочную фотовольтаическую солнечную технологию [1].

Intel и Micron запускают 32-Гб NAND флэш-память по 34-нм технологии

Intel Corp. и Micron Technology Inc. заявили о создании совместного предприятия IM Flash Technologies для разработки и производства 32-Гб флэш памяти в рамках 34-нм технологии на 300-мм подложках.

Углеродные нанотрубки в качестве однофотонного излучателя

Швейцарскими учеными впервые получены доказательства неклассического оптического излучения углеродной нанотрубки.

NanoWeek #21: 10 - 16 июня 2008

nanoWeek

Электрическое управление ферромагнетизмом в полупроводнике (Ga,Mn)As

В последнее время все чаще появляются сообщения об управлении магнитным состоянием вещества с помощью электрического поля без привлечения токов, а значит, без омических потерь.

Нефононная природа “кинка” в ВТСП

Эксперименты по фотоэмиссии с угловым разрешением (ARPES) свидетельствуют о наличии в ВТСП излома (“кинка”) в законе дисперсии элементарных возбуждений при энергии (50 ÷ 80) мэВ [1,2].