Гибриды nano-CMOS появятся в 2010 году
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Компания Hewlett-Packard сегодня объявила об исследовании, которое может внести революционное нововведение в микроэлектронику.
Суть исследования HP заключается в создании массивов программируемых полевых транзисторов (field programmable gate arrays – FPGAs), плотность упаковки которых в восемь раз превышает современные CMOS аналоги. При этом суммарная рассеиваемая мощность устройств будет значительно ниже, поэтому к производителей микроэлектронных компонентов есть возможность делать процессоры и чипы памяти еще меньше.
Фундамент для развития этой технологии HP заложила несколько лет назад, когда были созданы кросс-матрицы из нанопроводников, в котором каждое пересечение нанонитей формировало нанотранзстор.
Год назад, когда компания НР опубликовала результаты исследования Дмитрия Струкова (Dmitri Strukov) и Константина Лихарева (Konstantin Likharev) из Университета Стони Брук, Нью-Йорк (Stony Brook University in New York), научное сообщество было удивлено возможностями и перспективами наноэлектроники. Тогда же НР продемонстрировала план развития наноэлектроники к 2010 году, который постепенно подтверждается достижениями компании.
Матрица квантовых ключей, представленная в прошлом году, изменилась на «программируемое соединение нанопроводников» – field programmable nanowire interconnect (FPNI), на основе которого Грэг Снайдер (Greg Snider) и Стэн Уильямс (Stan Williams) разработали архитектуру построения чипов и логики.
Ученые представили также работоспособный чип, использующий 15-нм нанотранзисторы, сформированные матрицей перекрещивающихся нитей, соединенных с 45-нм CMOS электроникой. Как говорят ученые, чипы на этой основе могут поступить в массовое производство уже в 2010 году.
Благодаря гибридизации CMOS и FPNI полученные чипы в четыре раза меньше, чем их простые CMOS-аналоги. Стэн считает, что будущее – за распараллеливанием чипов, благодаря уменьшению гибридных компонентов.
Грэг и Стэн также представили прототип чипа, работающего на 4,5-нанометровых FPNI соединениях, однако их массовое применение в микроэлектронике может наступить только в 2020 году.
Крайне важно также то, что чипы по FPGA-технологии и модифицированной FPNI можно будет производить на обычных производственных линиях CMOS-микроэлектроники, незначительно их модернизовав.
- Войдите на сайт для отправки комментариев