В связи с концом эры оптической литографии мировые чипмейкеры пока находятся в состоянии трудного выбора – какой из методов окажется оптимальным: литография с использованием экстремального ультрафиолета, иммерсионная лазерная 193-нм литография с двойным экспонированием, рентгеновская или многолучеая электронная литографии? Каждый из методов требует значительных первоначальных капитальных затрат, разработки новых материалов и самого литографического процесса.

Решительные действия предприняла Европа. CEA-LETI (Electronics and Information Technology Laboratory of the French Atomic Energy Commission, Grenoble, Франция) официально запускает новую исследовательскую программу по безмасочной электронно-лучевой литографии (Maskless lithography – ML2) для 32-нм технологии. Результатом выполнения трехлетней программы станет поставка опытной установки в конце 2010 г. Программа, получившая название MAGIC – Maskless Lithography for IC Manufacturing (Безмасочная литография для изготовления ИС), будет финансироваться Европейской Комиссией. Фактически исследования будут сфокусированы на доработке существующего многолучевого метода компании Mapper Lithography BV (Delft, Голландия) и метода безмасочного проецирования компании IMS Nanofabrication AG (Vienna, Австрия). Будет также создана необходимая инфраструктура и разработаны методы коррекции эффекта близости.

CEA-LETI возглавит консорциум MAGIC, в который также войдут компании IMS-chips (Stuttgart, Германия), Delong Instruments a.s. (Brno, Чешская республика), Fraunhofer Institutes (Германия), Synopsys International Ltd. (Dublin, Ирландия), STMicroelectronics (Geneva, Швейцария), Qimonda AG (Munich, Германия), Fachhochshule Vorarlberg GmbH (Dornbirn, Австрия), Fujifilm Electronics Material NV (Zwijndrecht, Бельгия) и KLA-Tencor Corp. (San Jose, Calif., США).

В течение нескольких лет к чипмейкерам все больше приходило понимание, что стоимость изготовления масок для микроэлектронной технологии переднего края будет возрастать по пути от 45– к 32– и 22-нм. Потенциальное решение проблемы видится в безмасочной технологии, во всяком случае, для формирования рисунка критических слоев. Потенциальные барьеры на пути ML2 – это значительные первоначальные капитальные затраты, необходимость решения проблем стабильности луча и коррекции эффекта близости для многолучевого метода. Хотя проблема стоимости пока остается непреодолимой, другие технические проблемы успешно преодолеваются активными усилиями таких компаний, как STMicro, Qimonda и Taiwan Semiconductor Manfuacturing Co. Ltd.

“Консорциума MAGIC, сориентированный исключительно на безмасочную литографию, придаст решению проблемы необходимую динамику, привлечет инвестиции, сформирует инфраструктуру, создаст критическое число результатов для принятия метода», – считает Laurent Pain, координатор проекта от CEA-LETI.

С.Т.К.