Преодолев 45 нм, подступив к 32 нм, ведущие полупроводниковые компании стали присматриваться и к 22 нм.

Рис. 1. Прототип системы для производства фотошаблонов компании Toppan

Для формирования 22-нм рисунка рассматривают несколько литографических методов – экстремальный ультрафиолет, рентгеновское излучение, прямое электронно-лучевое «рисование» и наноимпринт. Однако, все эти методы, наряду с несомненными достоинствами, имеют и свои недостатки, главный из которых – неготовность методов к массовому производству.

Компания IBM в сложившейся ситуации решает продлить до 22 нм возможности лазерной (ArF лазер с длиной волны 193 нм) иммерсионной литографии, заключив соглашение о совместной разработке соответствующего фотошаблона с японской компанией Toppan Printing Co Ltd. IBM имеет длительный опыт сотрудничества с Toppan – с 2005 г. компании совместно разрабатывали фотошаблон на 45 нм, в настоящее время заканчивают разработку 32-нм шаблона и вот приступают к новой 22-нм разработке.

Работы начнутся в текущем месяце (июнь) на фабрике по производству шаблонов компании IBM в Барлингтоне (Burlington).