Ученые Университета штата Северная Каролина (North Carolina State University) совершили прорыв в прикладной физике, разработав устройство памяти на магнитных полупроводниках, которое работает при комнатной температуре, используя и заряд электрона и его спин.

Разработка устройства памяти на тонких пленках GaMnN является значительным прогрессом в данной области по сравнению с известными системами, которые используют магнитные полупроводники типа GaMnAs, которые функционировали при температурах только 100К (-173 градуса по Цельсию). Контролируя спин электронов, новое устройство способно существенно повысить и эффективность и быстродействие полупроводниковых систем.

Предлагаемая разработка является новой усовершенствованной моделью, созданной в Университете ранее и потребляет только 5–6 вольт для переключения смещения электронов. Предыдущие низкотемпературные модели использовали гораздо более высокое напряжение питания.

Работами, которые финансировались Службой научных исследований Армии США (U.S. Army Research Office), руководили проф. С. Бедер (S.M. Bedair) и проф. Надя Эль Масри (Nadia El-Masry). Результаты исследований опубликованы в апрельском номере журнала Applied Physics Letters (Electric field control of room temperature ferromagnetism in III-N dilute magnetic semiconductor films)

Евгений Биргер